|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: IPP041N12N3 G
Искать " IPP041N12N3 G" в других поисковых системах: GoogleIPP041N12N3 GИнформация по: IPP041N12N3 G- Datasheet IPP041N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO220-3
Наименование модели: IPP041N12N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPI041N12N3 G IPP041N12N3 G IPB038N12N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant, halogen free · Qualified according to JEDEC1) for target application ... - Datasheet IPB038N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO263-3
Наименование модели: IPB038N12N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO263-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPI041N12N3 G IPP041N12N3 G IPB038N12N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant, halogen free · Qualified according to JEDEC1) for target application ...
|